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HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSISS63DN-T1-GE3
Bestellnummer3280624
ProduktpaletteTrenchFET Gen III
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
5+ | 0,970 € |
50+ | 0,805 € |
100+ | 0,569 € |
500+ | 0,458 € |
1500+ | 0,421 € |
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Minimum: 5
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSISS63DN-T1-GE3
Bestellnummer3280624
ProduktpaletteTrenchFET Gen III
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id127.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0022ohm
Bauform - TransistorPowerPAK 1212-8S
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.5V
Verlustleistung65.8W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET Gen III
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (07-Nov-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
127.5A
Bauform - Transistor
PowerPAK 1212-8S
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
65.8W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0022ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.5V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET Gen III
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000123
Produktnachverfolgung