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SISS588DN-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 58.1 A, 0.008 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,778 € |
| 500+ | 0,617 € |
| 1000+ | 0,558 € |
| 5000+ | 0,515 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSISS588DN-T1-GE3
Bestellnummer3906514RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds80V
Dauer-Drainstrom Id58.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.008ohm
Bauform - TransistorPowerPAK 1212-8S
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung56.8W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
58.1A
Bauform - Transistor
PowerPAK 1212-8S
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
56.8W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
80V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.008ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung