Seite drucken
SISS26DN-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0037 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
17.271 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1,880 € |
| 10+ | 1,300 € |
| 100+ | 0,921 € |
| 500+ | 0,811 € |
| 1000+ | 0,700 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
1,88 € (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSISS26DN-T1-GE3
Bestellnummer2785453
ProduktpaletteTrenchFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0037ohm
Bauform - TransistorPowerPAK 1212
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.6V
Verlustleistung57W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET
Qualifikation-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
- N-channel 60V (D-S) TrenchFET® Gen IV power MOSFET
- Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)
- Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM
- 100 % Rg and UIS tested
Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
60A
Bauform - Transistor
PowerPAK 1212
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
57W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0037ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.6V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000127
Produktnachverfolgung