Seite drucken
SISS10ADN-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 109 A, 0.0022 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSISS10ADN-T1-GE3
Bestellnummer4320280
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV Series
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 54 Woche(n)
Benachrichtigen Sie mich, wenn das Produkt wieder vorrätig ist
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 3000+ | 0,366 € |
| 9000+ | 0,347 € |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 3000
Mehrere: 3000
1.098,00 € (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSISS10ADN-T1-GE3
Bestellnummer4320280
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id109A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0022ohm
Bauform - TransistorPowerPAK 1212
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.4V
Verlustleistung56.8W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV Series
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
109A
Bauform - Transistor
PowerPAK 1212
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
56.8W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0022ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.4V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SISS10ADN-T1-GE3
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung