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SISA24DN-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.00115 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 0,914 € |
| 10+ | 0,684 € |
| 100+ | 0,502 € |
| 500+ | 0,386 € |
| 1000+ | 0,347 € |
| 5000+ | 0,306 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSISA24DN-T1-GE3
Bestellnummer2708306
ProduktpaletteTrenchFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds25V
Dauer-Drainstrom Id60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.00115ohm
Bauform - TransistorPowerPAK 1212
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.1V
Verlustleistung52W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
60A
Bauform - Transistor
PowerPAK 1212
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
52W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
25V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.00115ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.1V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SISA24DN-T1-GE3
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0005