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SIS888DN-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 20.2 A, 0.048 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIS888DN-T1-GE3
Bestellnummer3929251RL
ProduktpaletteThunderFET Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,885 € |
| 500+ | 0,682 € |
| 1000+ | 0,625 € |
| 5000+ | 0,555 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIS888DN-T1-GE3
Bestellnummer3929251RL
ProduktpaletteThunderFET Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Wandlerpolaritätn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds150V
Dauer-Drainstrom Id20.2A
Betriebswiderstand, Rds(on)0.048ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.048ohm
Bauform - TransistorPowerPAK 1212
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.2V
Verlustleistung Pd52W
Verlustleistung52W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteThunderFET Series
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
150V
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.048ohm
Bauform - Transistor
PowerPAK 1212
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung Pd
52W
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
ThunderFET Series
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Wandlerpolarität
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
20.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.048ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.2V
Verlustleistung
52W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SIS888DN-T1-GE3
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
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