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SIR880BDP-T1-RE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIR880BDP-T1-RE3
Bestellnummer3765821RL
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,745 € |
| 500+ | 0,600 € |
| 1000+ | 0,552 € |
| 5000+ | 0,477 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIR880BDP-T1-RE3
Bestellnummer3765821RL
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Wandlerpolaritätn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds80V
Dauer-Drainstrom Id70.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0065ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.0053ohm
Bauform - TransistorPowerPAK SO
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.4V
Verlustleistung71.4W
Verlustleistung Pd71.4W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
Produktbeschreibung
Dieser n-Kanal-MOSFET mit 80V (D-S) wird üblicherweise in folgenden Anwendungen eingesetzt: Synchrongleichrichtung, primärseitige Schalter, DC/DC-Wandler, ORing, Netzteile, Motorantriebssteuerung, Batterie- und Lastschalter.
- TrenchFET® Gen IV-Leistungs-MOSFET
- Sehr niedrige Gütezahl (FOM) (RDS - Qg)
- Abgestimmt für die niedrigste FOM (RDS - Qoss)
- 100% Rg- und UIS-getestet
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
80V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0065ohm
Bauform - Transistor
PowerPAK SO
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
71.4W
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET Gen IV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Wandlerpolarität
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
70.6A
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.0053ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.4V
Verlustleistung Pd
71.4W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SIR880BDP-T1-RE3
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000907