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SIR500DP-T1-RE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350.8 A, 470 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIR500DP-T1-RE3
Bestellnummer3677848RL
ProduktpaletteTrenchFET Gen V
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,990 € |
| 500+ | 0,790 € |
| 1000+ | 0,787 € |
| 5000+ | 0,676 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIR500DP-T1-RE3
Bestellnummer3677848RL
ProduktpaletteTrenchFET Gen V
Technisches Datenblatt
Wandlerpolaritätn-Kanal
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id350.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand470µohm
Betriebswiderstand, Rds(on)390µohm
Bauform - TransistorPowerPAK SO
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.2V
Verlustleistung104.1W
Verlustleistung Pd104.1W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET Gen V
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Dieser n-Kanal-MOSFET mit 30V (D-S) und 150°C (Tj max.) in einem PowerPAK SO-8-Gehäuse wird üblicherweise eingesetzt in folgenden Anwendungen: DC/DC-Wandler, PoL, Synchrongleichrichtung, Akku-/Batteriemanagement, Leistungs- und Lastschaltanwendungen.
- TrenchFET® Gen V-Leistungs-MOSFET
- Sehr niedrige Gütezahl (FOM) (RDS x Qg)
- Ermöglicht eine höhere Leistungsdichte mit einem sehr niedrigen RDS(on) und einem thermisch verbesserten, kompakten Gehäuse
- 100% Rg- und UIS-getestet
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
470µohm
Bauform - Transistor
PowerPAK SO
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
104.1W
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET Gen V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
350.8A
Betriebswiderstand, Rds(on)
390µohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.2V
Verlustleistung Pd
104.1W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0005
Produktnachverfolgung