Seite drucken
SIR450DP-T1-RE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 113 A, 0.0018 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIR450DP-T1-RE3
Bestellnummer3765819RL
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV
Technisches Datenblatt
4.815 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,866 € |
| 500+ | 0,634 € |
| 1000+ | 0,577 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
91,60 € (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIR450DP-T1-RE3
Bestellnummer3765819RL
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV
Technisches Datenblatt
Wandlerpolaritätn-Kanal
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds45V
Dauer-Drainstrom Id113A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0018ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.0015ohm
Bauform - TransistorPowerPAK SO
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.3V
Verlustleistung48W
Verlustleistung Pd48W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
- N-channel 45V (D-S) MOSFET
- TrenchFET® Gen IV power MOSFET
- 45V drain-source break-down voltage
- Tuned for low Qg and Qoss
- 100% Rg and UIS tested
- Used in synchronous rectification, high power density DC/DC and motor drive control
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
45V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0018ohm
Bauform - Transistor
PowerPAK SO
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
48W
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET Gen IV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
113A
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.0015ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.3V
Verlustleistung Pd
48W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0002
Produktnachverfolgung