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SIJ450DP-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 113 A, 0.0019 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIJ450DP-T1-GE3
Bestellnummer3765818RL
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,817 € |
| 500+ | 0,638 € |
| 1000+ | 0,576 € |
| 5000+ | 0,517 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIJ450DP-T1-GE3
Bestellnummer3765818RL
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Wandlerpolaritätn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds45V
Dauer-Drainstrom Id113A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0019ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.00155ohm
Bauform - TransistorPowerPAK SO
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.3V
Verlustleistung48W
Verlustleistung Pd48W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
- N-channel 45V (D-S) MOSFET
- TrenchFET® Gen IV power MOSFET
- Very low Qg and Qoss reduce power loss and improve efficiency
- Flexible leads provide resilience to mechanical stress
- 100 % Rg and UIS tested
- Qgd/Qgs ratio <lt/> 1 optimizes switching characteristics
- Used in synchronous rectification, high power density DC/DC and DC/AC inverters
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
45V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0019ohm
Bauform - Transistor
PowerPAK SO
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
48W
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET Gen IV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Wandlerpolarität
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
113A
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.00155ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.3V
Verlustleistung Pd
48W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
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