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SIHU7N60E-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1,260 € |
| 10+ | 1,100 € |
| 100+ | 0,911 € |
| 500+ | 0,817 € |
| 1000+ | 0,754 € |
| 5000+ | 0,704 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIHU7N60E-GE3
Bestellnummer2283639
ProduktpaletteE
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.5ohm
Bauform - TransistorTO-251
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung78W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteE
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell SIHU7N60E-GE3 handelt es sich um einen 650V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET (Anreicherungstyp) mit einfacher Konfiguration. Er ist für SNT, Server, Telekommunikationstechnik und PFC-Netzteile sowie für Solar-, Motorantriebs-, Induktionsheizungs-, Schweißanwendungen und Anwendungen im Bereich erneuerbare Energien geeignet.
- Niedrige Gütezahl (FOM) RON x Qg
- Niedrige Eingangskapazität (CISS)
- Geringe Schalt- und Leitungsverluste
- Ultraniedrige Gate-Ladung
- Avalanche-fähig
- Halogenfrei
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Kommunikation & Netzwerke, Beleuchtung, Tragbare Geräte, Computer & Computerperipheriegeräte, Alternative Energien, Motorantrieb & -steuerung
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
7A
Bauform - Transistor
TO-251
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
78W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.5ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
E
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000686