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SIHK185N60EF-T1GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.193 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 2,490 € |
| 500+ | 2,400 € |
| 1000+ | 2,280 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIHK185N60EF-T1GE3
Bestellnummer4139023RL
ProduktpaletteEF Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.193ohm
Bauform - TransistorPowerPAK
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung114W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteEF Series
Qualifikation-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
16A
Bauform - Transistor
PowerPAK
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
114W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.193ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
EF Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0005