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SIHK055N60E-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 42 A, 0.056 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 10+ | 6,630 € |
| 50+ | 6,080 € |
| 100+ | 5,530 € |
| 250+ | 5,420 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIHK055N60E-T1-GE3
Bestellnummer3879357RL
ProduktpaletteE Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Wandlerpolaritätn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id42A
Betriebswiderstand, Rds(on)0.049ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.056ohm
Bauform - TransistorPowerPAK
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung236W
Verlustleistung Pd236W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteE Series
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.049ohm
Bauform - Transistor
PowerPAK
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
236W
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
E Series
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Wandlerpolarität
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.056ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Verlustleistung Pd
236W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000363