Seite drucken
SIHH080N60E-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.07 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
8.750 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 3,190 € |
| 500+ | 2,700 € |
| 1000+ | 2,310 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
324,00 € (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIHH080N60E-T1-GE3
Bestellnummer3677860RL
ProduktpaletteE
Technisches Datenblatt
Wandlerpolaritätn-Kanal
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id32A
Betriebswiderstand, Rds(on)0.07ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.07ohm
Bauform - TransistorPowerPAK
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung184W
Verlustleistung Pd184W
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteE
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
E Series power MOSFET in PowerPAK 8 x 8 package is typically used in applications like server and telecom power supplies, switch mode power supplies (SMPS), power factor correction power supplies (PFC), lighting (high-intensity discharge (HID), fluorescent ballast lighting), industrial (welding, induction heating, motor drives, battery chargers and solar (PV inverters)).
- 4th generation E series technology
- Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
- Low effective capacitance (Co(er))
- Reduced switching and conduction losses
- Avalanche energy rated (UIS)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.07ohm
Bauform - Transistor
PowerPAK
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
184W
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
E
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.07ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Verlustleistung Pd
184W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0005
Produktnachverfolgung