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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
1+ | 8,780 € |
5+ | 8,220 € |
10+ | 7,650 € |
50+ | 5,560 € |
100+ | 4,710 € |
250+ | 4,620 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell SIHG47N60E-E3 handelt es sich um einen 650V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET (Anreicherungstyp) mit einfacher Konfiguration. Er ist für SNT, Server, Telekommunikationstechnik und PFC-Netzteile sowie für Solar-, Motorantriebs-, Induktionsheizungs-, Schweißanwendungen und Anwendungen im Bereich erneuerbare Energien geeignet.
- Niedrige Gütezahl (FOM) RON x Qg
- Niedrige Eingangskapazität (CISS)
- Geringe Schalt- und Leitungsverluste
- Ultraniedrige Gate-Ladung
- Avalanche-fähig
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Kommunikation & Netzwerke, Beleuchtung, Tragbare Geräte, Computer & Computerperipheriegeräte, Alternative Energien, Motorantrieb & -steuerung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
n-Kanal
47A
TO-247AC
10V
357W
150°C
-
Lead (21-Jan-2025)
600V
0.053ohm
Durchsteckmontage
2.5V
3Pin(s)
E
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SIHG47N60E-E3
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat