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SIHB186N60EF-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.4 A, 0.168 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 3,510 € |
| 10+ | 3,400 € |
| 100+ | 1,720 € |
| 500+ | 1,560 € |
| 1000+ | 1,400 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
3,51 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIHB186N60EF-GE3
Bestellnummer3490836
ProduktpaletteEF
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id8.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.168ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung156W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteEF
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (07-Nov-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
8.4A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
156W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.168ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
EF
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung