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SIHA20N50E-E3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 19 A, 0.16 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 2,150 € |
| 10+ | 1,700 € |
| 100+ | 1,580 € |
| 500+ | 1,190 € |
| 1000+ | 1,090 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIHA20N50E-E3
Bestellnummer2471936
ProduktpaletteE
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds500V
Dauer-Drainstrom Id19A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.16ohm
Bauform - TransistorTO-220FP
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung34W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteE
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
19A
Bauform - Transistor
TO-220FP
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
34W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
500V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.16ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
E
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SIHA20N50E-E3
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00176
Produktnachverfolgung