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HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIDR638DP-T1-GE3
Bestellnummer2932899RL
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
100+ | 1,080 € |
500+ | 0,813 € |
1000+ | 0,756 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIDR638DP-T1-GE3
Bestellnummer2932899RL
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand730µohm
Bauform - TransistorPowerPAK SO
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.3V
Verlustleistung125W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (07-Nov-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
100A
Bauform - Transistor
PowerPAK SO
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
125W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
730µohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.3V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SIDR638DP-T1-GE3
7 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.003
Produktnachverfolgung