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SIDR622DP-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56.7 A, 0.0147 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 2,850 € |
| 10+ | 2,170 € |
| 100+ | 1,630 € |
| 500+ | 1,220 € |
| 1000+ | 1,140 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIDR622DP-T1-GE3
Bestellnummer2932897
ProduktpaletteTrenchFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds150V
Dauer-Drainstrom Id56.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0147ohm
Bauform - TransistorPowerPAK SO
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.5V
Verlustleistung125W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (07-Nov-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
56.7A
Bauform - Transistor
PowerPAK SO
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
125W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
150V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0147ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.5V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SIDR622DP-T1-GE3
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.003
Produktnachverfolgung