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HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIDR610EP-T1-RE3
Bestellnummer4014706
ProduktpaletteTrenchFET Series
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
1+ | 3,460 € |
10+ | 2,480 € |
100+ | 1,790 € |
500+ | 1,480 € |
1000+ | 1,390 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
3,46 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIDR610EP-T1-RE3
Bestellnummer4014706
ProduktpaletteTrenchFET Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds200V
Dauer-Drainstrom Id39.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0239ohm
Bauform - TransistorPowerPAK SO-DC
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung150W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteTrenchFET Series
Qualifikation-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
39.6A
Bauform - Transistor
PowerPAK SO-DC
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
150W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
200V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0239ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SIDR610EP-T1-RE3
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000363
Produktnachverfolgung