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HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIB4122DK-T1-GE3
Bestellnummer4349352
ProduktpaletteThunderFET Series
Technisches Datenblatt
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Bestellbar
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
5+ | 0,458 € |
10+ | 0,402 € |
100+ | 0,300 € |
500+ | 0,236 € |
1000+ | 0,182 € |
5000+ | 0,145 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 5
Mehrere: 5
2,29 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIB4122DK-T1-GE3
Bestellnummer4349352
ProduktpaletteThunderFET Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id5.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.16ohm
Bauform - TransistorPowerPAK SC-75
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung12.5W
Anzahl der Pins7Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteThunderFET Series
Qualifikation-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
5.9A
Bauform - Transistor
PowerPAK SC-75
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
12.5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.16ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Produktpalette
ThunderFET Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SIB4122DK-T1-GE3
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000012
Produktnachverfolgung