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SIA441DJ-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.039 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,687 € |
| 50+ | 0,537 € |
| 100+ | 0,402 € |
| 500+ | 0,316 € |
| 1500+ | 0,243 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIA441DJ-T1-GE3
Bestellnummer3772803
ProduktpaletteTrench
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.039ohm
Bauform - TransistorPowerPAK SC-70
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.2V
Verlustleistung19W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrench
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
12A
Bauform - Transistor
PowerPAK SC-70
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
19W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.039ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.2V
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
Trench
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001