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HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIA112LDJ-T1-GE3
Bestellnummer4154259RL
ProduktpaletteTrenchFET Series
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
100+ | 0,412 € |
500+ | 0,302 € |
1000+ | 0,270 € |
5000+ | 0,232 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIA112LDJ-T1-GE3
Bestellnummer4154259RL
ProduktpaletteTrenchFET Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id8.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.099ohm
Bauform - TransistorPowerPAK SC-70
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung15.6W
Anzahl der Pins7Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
8.8A
Bauform - Transistor
PowerPAK SC-70
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
15.6W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.099ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001