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HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIA108DJ-T1-GE3
Bestellnummer4384456
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV Series
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 28 Woche(n)
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
3000+ | 0,304 € |
9000+ | 0,266 € |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 3000
Mehrere: 3000
912,00 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIA108DJ-T1-GE3
Bestellnummer4384456
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds80V
Dauer-Drainstrom Id12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.032ohm
Bauform - TransistorPowerPAK SC-70
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung19W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV Series
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
12A
Bauform - Transistor
PowerPAK SC-70
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
19W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
80V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.032ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.009
Produktnachverfolgung