Seite drucken
SI7617DN-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0103 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
35.968 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,372 € |
| 500+ | 0,357 € |
| 1000+ | 0,342 € |
| 5000+ | 0,327 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
42,20 € (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI7617DN-T1-GE3
Bestellnummer2101453RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0103ohm
Bauform - TransistorPowerPAK 1212
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung52W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell SI7617DN-T1-GE3 handelt es sich um einen -30V-p-Kanal-TrenchFET®-Leistungs-MOSFET, der sich für die Verwendung zum Laden von Notebook-Akkus und in Adapter-Schaltanwendungen eignet. Dieser p-Kanal-MOSFET für Schaltanwendungen ist nun erhältlich mit Durchgangswiderständen von rund 1mΩ und einer Strombelastbarkeit von 85A.
- Halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21
- Rg: 100% getestet
- UIS: 100% getestet
Anwendungen
Power-Management, Computer & Computerperipheriegeräte
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
35A
Bauform - Transistor
PowerPAK 1212
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
52W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0103ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SI7617DN-T1-GE3
8 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000226