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100+ | 0,990 € |
500+ | 0,727 € |
1000+ | 0,647 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI7611DN-T1-GE3
Bestellnummer2547310
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id18A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.021ohm
Bauform - TransistorPowerPAK 1212
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung39W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell SI7611DN-T1-GE3 handelt es sich um einen TrenchFET®-p-Kanal-Leistungs-MOSFET (Anreicherungstyp) mit einer Drain-Source-Spannung von 40VDS, der sich für Lastschaltanwendungen eignet.
- Neues PowerPAK®-Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand und geringer Bauhöhe von nur 1.07mm
- 100% Rg-getestet
- Halogenfrei
- Betriebstemperatur: -50 bis 150°C
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
18A
Bauform - Transistor
PowerPAK 1212
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
39W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.021ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000152
Produktnachverfolgung