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SI7157DP-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 0.00125 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,880 € |
| 500+ | 0,741 € |
| 1000+ | 0,676 € |
| 5000+ | 0,599 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI7157DP-T1-GE3
Bestellnummer2471947RL
ProduktpaletteE
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Wandlerpolaritätp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.00125ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.00125ohm
Bauform - TransistorPowerPAK SO
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.4V
Verlustleistung104W
Verlustleistung Pd104W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteE
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell SI7157DP-T1-GE3 handelt es sich um einen 20V-p-Kanal-TrenchFET® Gen III-Leistungs-MOSFET für die mobile Computernutzung.
- 100% Rg-getestet
- 100% UIS-getestet
- Gate/Source-Spannung: ± 12V
Anwendungen
Computer & Computerperipheriegeräte, Unterhaltungselektronik
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.00125ohm
Bauform - Transistor
PowerPAK SO
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
104W
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
E
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Wandlerpolarität
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
60A
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.00125ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.4V
Verlustleistung Pd
104W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SI7157DP-T1-GE3
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000272
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