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SI4850EY-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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| 500+ | 0,855 € |
| 1000+ | 0,797 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI4850EY-T1-GE3
Bestellnummer1858964RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.022ohm
Bauform - TransistorSOIC
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung3.3W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
The SI4850EY-T1-GE3 is a TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with reduced total dynamic gate charge (Qg).
- Fast switching
- 175°C Maximum junction temperature
- Halogen-free
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
6A
Bauform - Transistor
SOIC
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
3.3W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.022ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000142
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