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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI4431CDY-T1-GE3
Bestellnummer1858950RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.032ohm
Bauform - TransistorSOIC
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung4.2W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
SI4431CDY-T1-GE3 is a single, P-channel 30V (D-S) MOSFET suitable for load switch and battery switch.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg tested
- VDS is -30V, 0.032ohm RDS(on) max at VGS = -10V
- ±20V gate-source voltage
- 4.2W maximum power dissipation at TC = 25°C
- Pulsed drain current IDM is -30A
- Operating temperature range -55 to 150°C
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
9A
Bauform - Transistor
SOIC
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
4.2W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.032ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000136
Produktnachverfolgung