Seite drucken
SI3483DDV-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0312 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI3483DDV-T1-GE3
Bestellnummer3224959RL
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV
Technisches Datenblatt
14.727 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,312 € |
| 500+ | 0,238 € |
| 1500+ | 0,202 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
36,20 € (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI3483DDV-T1-GE3
Bestellnummer3224959RL
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Wandlerpolaritätp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0312ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.026ohm
Bauform - TransistorTSOP
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.2V
Verlustleistung3W
Verlustleistung Pd3W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0312ohm
Bauform - Transistor
TSOP
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
3W
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET Gen IV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Wandlerpolarität
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
8A
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.026ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.2V
Verlustleistung Pd
3W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SI3483DDV-T1-GE3
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000064
Produktnachverfolgung