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HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI2387DS-T1-GE3
Bestellnummer4320336
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV Series
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 54 Woche(n)
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
3000+ | 0,121 € |
9000+ | 0,105 € |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 3000
Mehrere: 3000
363,00 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI2387DS-T1-GE3
Bestellnummer4320336
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds80V
Dauer-Drainstrom Id3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.137ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung2.5W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV Series
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
3A
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
2.5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
80V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.137ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SI2387DS-T1-GE3
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung