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HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI2324DS-T1-GE3
Bestellnummer4320346
ProduktpaletteTrenchFET Series
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 23 Woche(n)
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 3000+ | 0,176 € |
| 9000+ | 0,167 € |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 3000
Mehrere: 3000
528,00 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI2324DS-T1-GE3
Bestellnummer4320346
ProduktpaletteTrenchFET Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.234ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.8V
Verlustleistung2.5W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
2.3A
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
2.5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.234ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.8V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SI2324DS-T1-GE3
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Israel
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Israel
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung