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SI2324DS-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.234 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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| 50+ | 0,325 € |
| 100+ | 0,283 € |
| 500+ | 0,276 € |
| 1500+ | 0,250 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI2324DS-T1-GE3
Bestellnummer3772744
ProduktpaletteTrenchFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.234ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.8V
Verlustleistung2.5W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
2.3A
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
2.5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.234ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.8V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Israel
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Israel
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001361
Produktnachverfolgung