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HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI2319DDS-T1-GE3
Bestellnummer4320261
ProduktpaletteTrenchFET Gen III Series
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 19 Woche(n)
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
3000+ | 0,145 € |
9000+ | 0,138 € |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 3000
Mehrere: 3000
435,00 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI2319DDS-T1-GE3
Bestellnummer4320261
ProduktpaletteTrenchFET Gen III Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.062ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung1.7W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET Gen III Series
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
3.6A
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
1.7W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.062ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET Gen III Series
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SI2319DDS-T1-GE3
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000046
Produktnachverfolgung