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SI2318CDS-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3.9 A, 0.042 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,171 € |
| 500+ | 0,165 € |
| 1000+ | 0,142 € |
| 5000+ | 0,103 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI2318CDS-T1-GE3
Bestellnummer1838989RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.042ohm
Bauform - TransistorTO-236
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung750mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
- N-Kanal-TrenchFET®-Leistungs-MOSFET, 40V (D-S)
- 100% Rg-getestet
- Einsatz in DC/DC-Wandlern, Lastschaltern
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
3.9A
Bauform - Transistor
TO-236
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
750mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.042ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004536
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