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IRFD9110PBF
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1.2 ohm, DIP, Durchsteckmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1,360 € |
| 10+ | 1,100 € |
| 100+ | 0,952 € |
| 500+ | 0,807 € |
| 1000+ | 0,686 € |
Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerIRFD9110PBF
Bestellnummer9103236
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand1.2ohm
Bauform - TransistorDIP
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung1.3W
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Produktbeschreibung
The IRFD9110PBF is a -100V P-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- 175°C Operating temperature
- Easy to parallel
- Simple drive requirement
- For automatic insertion
- End stackable
Anwendungen
Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
700mA
Bauform - Transistor
DIP
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
1.3W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1.2ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
-
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000551