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IRF840HPBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.3 A, 0.74 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1,500 € |
| 10+ | 1,020 € |
| 100+ | 0,705 € |
| 500+ | 0,567 € |
| 1000+ | 0,522 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerIRF840HPBF
Bestellnummer4077833
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds500V
Dauer-Drainstrom Id7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.74ohm
Bauform - TransistorTO-220AB
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung125W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Alternativen für IRF840HPBF
1 Produkt(e) gefunden
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
7.3A
Bauform - Transistor
TO-220AB
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
125W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
500V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.74ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002