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BZD27C4V7P-GS08
Zener-Diode, 4.7 V, 800 mW, SMD, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,223 € |
| 500+ | 0,201 € |
| 1000+ | 0,178 € |
| 5000+ | 0,149 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerBZD27C4V7P-GS08
Bestellnummer1612382RL
ProduktpaletteBZD27
Technisches Datenblatt
Zener-Spannung, nom.4.7V
Verlustleistung800mW
Bauform - DiodeSMD
Anzahl der Pins2Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
DiodenmontageOberflächenmontage
ProduktpaletteBZD27
Qualifikation-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
BZD27C4V7P-GS08 ist eine Silizium-Planar-Zener-Diode mit niedrigem Leckstrom und hervorragender Stabilität, die sich für Wellen- und Reflow-Lötverfahren eignet.
- SMD-Gehäuse in flacher Bauweise
- Zener- und Stoßstrom-Spezifikation
- Entspricht MSL1, nach J-STD-020, Spitzentemperatur (LF) beträgt 260°C
- Erfüllt JESD 201 Klasse 2
- ESD-Schutz gemäß AEC-Q101 HBM <gt/>8kV, MM <gt/>800V
- Qualifiziert gemäß AEC-Q101
Anwendungen
Industrie
Technische Spezifikationen
Zener-Spannung, nom.
4.7V
Bauform - Diode
SMD
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
BZD27
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Verlustleistung
800mW
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Diodenmontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für BZD27C4V7P-GS08
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Singapore
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Singapore
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001