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UF3SC065030B7S
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 62 A, 650 V, 27 mohm, D2PAK
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 18,230 € |
| 5+ | 15,910 € |
| 10+ | 13,580 € |
| 50+ | 12,330 € |
| 100+ | 11,070 € |
| 250+ | 10,850 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerUF3SC065030B7S
Bestellnummer4221962
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id62A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand27mohm
Bauform - TransistorD2PAK
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung12V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.6V
Verlustleistung214W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
62A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
27mohm
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
6V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Bauform - Transistor
D2PAK
Rds(on)-Prüfspannung
12V
Verlustleistung
214W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung