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OP505B
Fototransistor, 935 nm, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 (3mm)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY
HerstellerteilenummerOP505B
Bestellnummer1497879
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 12 Woche(n)
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 2000+ | 0,570 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 2000
Mehrere: 2000
1.140,00 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerTT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY
HerstellerteilenummerOP505B
Bestellnummer1497879
Technisches Datenblatt
Wellenlänge, typ.935nm
Abstrahlwinkel-
Stromverbrauch100mW
Anzahl der Pins2Pin(s)
Bauform - TransistorT-1 (3mm)
Produktpalette-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The OP505B is an Infrared Selected Silicon NPN Phototransistor moulded in blue tinted epoxy package. The narrow receiving angle provides excellent on-axis coupling. This device is 100% production tested using infrared light for close correlation with Optek's GaAs and GaAIAs emitters.
- Small package size ideal for space-limited applications
- 0.050" (1.27mm) Lead spacing
Anwendungen
Tragbare Geräte, Sensortechnik
Technische Spezifikationen
Wellenlänge, typ.
935nm
Stromverbrauch
100mW
Bauform - Transistor
T-1 (3mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Abstrahlwinkel
-
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000132
Produktnachverfolgung