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OP505A
Fototransistor, 935 nm, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 (3mm)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY
HerstellerteilenummerOP505A
Bestellnummer1497878
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 0,735 € |
| 10+ | 0,722 € |
| 25+ | 0,709 € |
| 50+ | 0,696 € |
| 100+ | 0,683 € |
| 500+ | 0,637 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerTT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY
HerstellerteilenummerOP505A
Bestellnummer1497878
Technisches Datenblatt
Wellenlänge, typ.935nm
Abstrahlwinkel-
Stromverbrauch100mW
Anzahl der Pins2Pin(s)
Bauform - TransistorT-1 (3mm)
Produktpalette-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The OP505A is an Infrared Selected NPN Silicon Phototransistor with narrow receiving angle. The OP505 series devices consist of NPN silicon phototransistor moulded in blue tinted epoxy packages. The narrow receiving angle provides excellent on-axis coupling. This device is 100% production tested using infrared light for close correlation with Optek's GaAs and GaAlAs emitters.
- 30V Collector to emitter voltage
- 5V Emitter to collector voltage
Anwendungen
Industrie
Technische Spezifikationen
Wellenlänge, typ.
935nm
Stromverbrauch
100mW
Bauform - Transistor
T-1 (3mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Abstrahlwinkel
-
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000132