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TP65H480G4JSGB-TR
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 3.6 A, 0.56 ohm, 5 nC, PQFN, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerRENESAS
HerstellerteilenummerTP65H480G4JSGB-TR
Bestellnummer4371981
ProduktpaletteSuperGaN Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 3,370 € |
| 10+ | 2,280 € |
| 100+ | 1,610 € |
| 500+ | 1,320 € |
| 1000+ | 1,230 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
3,37 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerRENESAS
HerstellerteilenummerTP65H480G4JSGB-TR
Bestellnummer4371981
ProduktpaletteSuperGaN Series
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.56ohm
Gate-Ladung, typ.5nC
Bauform - TransistorPQFN
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins8Pin(s)
ProduktpaletteSuperGaN Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.56ohm
Bauform - Transistor
PQFN
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
3.6A
Gate-Ladung, typ.
5nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):1.12
Produktnachverfolgung