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TP65H070G4PS
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 9 nC, TO-220AB, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerRENESAS
HerstellerteilenummerTP65H070G4PS
Bestellnummer4371971
ProduktpaletteSuperGaN Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 8,690 € |
| 5+ | 7,720 € |
| 10+ | 6,760 € |
| 50+ | 5,790 € |
| 100+ | 5,600 € |
| 250+ | 5,490 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
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8,69 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerRENESAS
HerstellerteilenummerTP65H070G4PS
Bestellnummer4371971
ProduktpaletteSuperGaN Series
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id29A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.085ohm
Gate-Ladung, typ.9nC
Bauform - TransistorTO-220AB
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
ProduktpaletteSuperGaN Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.085ohm
Bauform - Transistor
TO-220AB
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
29A
Gate-Ladung, typ.
9nC
Transistormontage
Durchsteckmontage
Produktpalette
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.138