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TP65H070G4LSG-TR
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerRENESAS
HerstellerteilenummerTP65H070G4LSG-TR
Bestellnummer4371969RL
ProduktpaletteSuperGaN Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 10+ | 6,570 € |
| 50+ | 5,940 € |
| 100+ | 5,300 € |
| 250+ | 5,190 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 10
Mehrere: 1
65,70 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerRENESAS
HerstellerteilenummerTP65H070G4LSG-TR
Bestellnummer4371969RL
ProduktpaletteSuperGaN Series
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id29A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.085ohm
Gate-Ladung, typ.8.4nC
Bauform - TransistorPQFN
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
ProduktpaletteSuperGaN Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.085ohm
Bauform - Transistor
PQFN
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
29A
Gate-Ladung, typ.
8.4nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):1.42