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TP65H050G4YS
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 35 A, 0.06 ohm, 16 nC, TO-247, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerRENESAS
HerstellerteilenummerTP65H050G4YS
Bestellnummer4371968
ProduktpaletteSuperGaN Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 14,760 € |
| 5+ | 12,720 € |
| 10+ | 10,670 € |
| 50+ | 10,650 € |
| 100+ | 10,640 € |
| 250+ | 10,620 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
14,76 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerRENESAS
HerstellerteilenummerTP65H050G4YS
Bestellnummer4371968
ProduktpaletteSuperGaN Series
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.06ohm
Gate-Ladung, typ.16nC
Bauform - TransistorTO-247
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins4Pin(s)
ProduktpaletteSuperGaN Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.06ohm
Bauform - Transistor
TO-247
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
35A
Gate-Ladung, typ.
16nC
Transistormontage
Durchsteckmontage
Produktpalette
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001