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TP65H050G4BS
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.06 ohm, 16 nC, TO-263, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerRENESAS
HerstellerteilenummerTP65H050G4BS
Bestellnummer4371965
ProduktpaletteSuperGaN Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 12,770 € |
| 5+ | 12,370 € |
| 10+ | 11,960 € |
| 50+ | 7,720 € |
| 100+ | 7,330 € |
| 250+ | 7,180 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
12,77 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerRENESAS
HerstellerteilenummerTP65H050G4BS
Bestellnummer4371965
ProduktpaletteSuperGaN Series
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.06ohm
Gate-Ladung, typ.16nC
Bauform - TransistorTO-263
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
ProduktpaletteSuperGaN Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.06ohm
Bauform - Transistor
TO-263
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
34A
Gate-Ladung, typ.
16nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.123