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TW015N65C,S1F(S
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.021 ohm, TO-247
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerTW015N65C,S1F(S
Bestellnummer4049751
Auch bekannt alsTW015N65C, TW015N65C,S1F
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 56,790 € |
| 5+ | 53,580 € |
| 10+ | 50,370 € |
| 50+ | 49,090 € |
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Minimum: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerTW015N65C,S1F(S
Bestellnummer4049751
Auch bekannt alsTW015N65C, TW015N65C,S1F
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id100A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.021ohm
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins3Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung342W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.021ohm
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
To Be Advised
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
342W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.006
Produktnachverfolgung