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TPN6R003NL,LQ(S
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.0052 ohm, TSON, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerTPN6R003NL,LQ(S
Bestellnummer4173241RL
ProduktpaletteU-MOSVIII-H Series
Auch bekannt alsTPN6R003NL, TPN6R003NL,LQ
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,651 € |
| 500+ | 0,525 € |
| 1000+ | 0,450 € |
| 5000+ | 0,398 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerTPN6R003NL,LQ(S
Bestellnummer4173241RL
ProduktpaletteU-MOSVIII-H Series
Auch bekannt alsTPN6R003NL, TPN6R003NL,LQ
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id56A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0052ohm
Bauform - TransistorTSON
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.3V
Verlustleistung32W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteU-MOSVIII-H Series
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
56A
Bauform - Transistor
TSON
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
32W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0052ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.3V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
U-MOSVIII-H Series
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00002
Produktnachverfolgung