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TK8P60W5,RVQ(S
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.44 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerTK8P60W5,RVQ(S
Bestellnummer4173173RL
Auch bekannt alsTK8P60W5, TK8P60W5,RVQ
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,789 € |
| 500+ | 0,726 € |
| 1000+ | 0,711 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerTK8P60W5,RVQ(S
Bestellnummer4173173RL
Auch bekannt alsTK8P60W5, TK8P60W5,RVQ
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.44ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.5V
Verlustleistung80W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
8A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
80W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.44ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00036
Produktnachverfolgung