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TCK423G,L3F(S
Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, MOSFET, 6 Pin(s), WCSP
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
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| 500+ | 0,365 € |
| 1000+ | 0,353 € |
| 2500+ | 0,311 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerTCK423G,L3F(S
Bestellnummer4049748RL
Technisches Datenblatt
Anzahl der Kanäle2Kanäle
Gate-Treiber-
TreiberkonfigurationHigh-Side
LeistungsschalterMOSFET
Bauform - TreiberWCSP
Anzahl der Pins6Pin(s)
IC-Gehäuse / BauformWCSP
IC-MontageOberflächenmontage
EingangNicht invertierend
Quellstrom-
Sinkstrom-
Versorgungsspannung, min.2.7V
Versorgungsspannung, max.28V
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.85°C
Eingabeverzögerung2.9ms
Ausgabeverzögerung23µs
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Produktbeschreibung
TCK423G is an overvoltage protection MOSFET gate driver IC. It has external N-channel MOSFET. Which supports MOSFET operating voltage from 2.7V to 28V with various over voltage lock out line-ups. And this features low standby current, less than 1µA, built in charge pump circuit and MOSFET gate source protection circuit. This gate driver IC is widely used in load switch circuit for mobile, wearable, and IoT equipment etc.
- Gate driver for N-channel common drain MOSFET
- Gate driver for N-channel single high side MOSFET
- High maximum input voltage is VIN max = 40V
- Gate-source protection circuit
- Operating temperature range is -40°C to 85°C
- OVLO threshold, falling is 14.29V
- External MOSFET gate source voltage is 5.6V (Control ON)
- Packaging style is TSON advance
Technische Spezifikationen
Anzahl der Kanäle
2Kanäle
Treiberkonfiguration
High-Side
Bauform - Treiber
WCSP
IC-Gehäuse / Bauform
WCSP
Eingang
Nicht invertierend
Sinkstrom
-
Versorgungsspannung, max.
28V
Betriebstemperatur, max.
85°C
Ausgabeverzögerung
23µs
Qualifikation
-
Gate-Treiber
-
Leistungsschalter
MOSFET
Anzahl der Pins
6Pin(s)
IC-Montage
Oberflächenmontage
Quellstrom
-
Versorgungsspannung, min.
2.7V
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Eingabeverzögerung
2.9ms
Produktpalette
-
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000002
Produktnachverfolgung